Wafer en silicium

LD 664426
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Description

Pour les expériences visant à étudier les propriétés spéciales des semi-conducteurs.

Caractéristiques techniques

  • Diamètre : 5,08 cm (2 pouces)
  • Épaisseur : 500 µm
  • Matériau : silicium (cristal Czochralski)
  • Surface : polie sur une face (Single Side Polished)
  • Type de conductivité : conductivité p (dopé au bore)
  • Résistance spécifique : 0,001 – 100 O · cm
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