Transistor IGBT 1000V/10A

LD 735346
Transistor IGBT 1000V/10A
Transistor IGBT 1000V/10A

Description

Transistor bipolaire à grille isolée IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Sa caractéristique d'entrée est semblable à celle d'un transistor à effet de champ à blocage automatique (MOSFET) et sa caractéristique de sortie à celle d'un transistor bipolaire de puissance. Avec diode rapide en parallèle inverse et circuit de protection RCD déconnectable.

Cette plaque est utilisée dans des montages d'application à haute fréquence de commutation sous tension élevée: hacheurs, alimentations à découpage, onduleurs autonomes.

  • Tension maximale collecteur-émetteur (UCEV): max. 1000 V
  • Courant collecteur (IC AV): max. 10 A
  • Tension de saturation collecteur-émetteur (UCE SAT): 3,5 V
  • Capacité d'entrée grille-émetteur (CGE): 1,8 nF
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