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Etudes des propriétés de diodes des jonctions d'un transistor

Etudes des propriétés de diodes des jonctions d'un transistor

VP4.1.5.1

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Description

Lobjet de l'expérience P4.1.5.1 est le montage de principe du transistor bipolaire puis sa comparaison avec une diode. A cette occasion, on étudie explicitement la différence entre transistor npn et pnp.

Détails d’équipement

1	57681	Plaque à réseau prise de sécurité , 20/10
1	57867	Transistor BD 137, NPN, ém. bas, STE 4/50
1	57868	Transistor BD 138, PNP, ém. bas, STE 4/50
1	57732	Résistance 100 Ohms, STE 2/19
1	521488	Alimentation électrique AC/DC 0...12 V/3 A
2	531120	Multimètre LDanalog 20
2	500621	Câble de connexion de sécurité 50 cm, rouge
3	500622	Câble de connexion de sécurité 50 cm, bleu

Mode d’emploi de l’essai

PDF (Description de l'expérience)

P4.1.5.1 Etudes des propriétés de diodes des jonctions d'un transistor (en)

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