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Tracé des caractéristiques d'un transistor à effet de champ

Tracé des caractéristiques d'un transistor à effet de champ

VP4.1.5.3

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Description

Au cours de l'expérience P4.1.5.3, on mesure puis on trace la caractéristique dun transistor à effet de champ, c.-à-d. le courant de drain I_D en fonction de la tension U_DS entre drain et source pour une tension de grille U_G constante.

Détails d’équipement

3	57681	Plaque à réseau prise de sécurité , 20/10
1	578772	Transistor à effet de champ J112
1	57851	Diode 1N4007, STE 2/19
1	57732	Résistance 100 Ohms, STE 2/19
1	57744	Résistance 1 kOhm, STE 2/19
1	57764	Résistance 47 kohms, STE 2/19
1	57790	Potentiomètre 220 Ohms, STE 4/50
1	57792	Potentiomètre 1 kohm, STE 4/50
2	50148	Cavalier STE 2/19, jeu de 10
1	521488	Alimentation électrique AC/DC 0...12 V/3 A
1	521210	Transformateur 6/12 V, 30 W
1	575302	Oscilloscope 30 MHz, numérique, PT1265
2	57524	Câble blindé, BNC/4 mm
2	531120	Multimètre LDanalog 20
3	500621	Câble de connexion de sécurité 50 cm, rouge
3	500622	Câble de connexion de sécurité 50 cm, bleu

Mode d’emploi de l’essai

PDF (Description de l'expérience)

P4.1.5.3 Tracé des caractéristiques d'un transistor à effet de champ (en)

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